央廣網(wǎng)重慶6月7日消息（記者吳新偉）重慶高新區(qū)昨披露，位于西部（重慶）科學(xué)城西永微電園的聯(lián)合微電子中心，面向全球發(fā)布了我國(guó)首個(gè)自主開(kāi)發(fā)的180納米成套硅光工藝設(shè)計(jì)工具，并建成國(guó)內(nèi)首個(gè)硅光芯片全流程封裝測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。

　　這標(biāo)志著重慶已具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力，并開(kāi)始向全球提供硅光芯片流片服務(wù)和光電設(shè)計(jì)自動(dòng)化設(shè)計(jì)服務(wù)。

　　硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠大大提高集成芯片的性能，是大數(shù)據(jù)、人工智能、未來(lái)移動(dòng)通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性支撐技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。

　　硅光芯片是通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路，主要由調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。

　　聯(lián)合微電子中心介紹，5G時(shí)代，對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊�求越�?lái)越高，傳統(tǒng)的電芯片在信號(hào)傳輸模式上遇到帶寬、功耗、延時(shí)等一系列瓶頸問(wèn)題。此次開(kāi)發(fā)的180納米成套硅光工藝，可將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性，以及微電子技術(shù)在大規(guī)模集成、低成本等方面的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行結(jié)合，形成一個(gè)完整的、具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。

　　比利時(shí)皇家科學(xué)院院士、根特大學(xué)教授羅爾·巴茨表示，此次聯(lián)合微電子中心發(fā)布的180納米成套硅光工藝，標(biāo)志著該公司具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力，是硅光領(lǐng)域的一大進(jìn)步。

　　聯(lián)合微電子中心表示，中心于2018年掛牌成立，計(jì)劃用3至5年時(shí)間建成光電融合高科技領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)。