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我國(guó)最大單筆外商投資項(xiàng)目在西安投產(chǎn)
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  三星電子西安半導(dǎo)體工廠的新生產(chǎn)線內(nèi)生產(chǎn)出的NAND閃存產(chǎn)品(央廣網(wǎng)記者 劉濤 攝)

  央廣網(wǎng)西安5月9日消息(記者劉濤 溫超)總投資70億美元的我國(guó)最大單筆外商投資項(xiàng)目——三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司今天在西安投產(chǎn)。在這里,將生產(chǎn)世界上最新型的10納米級(jí)閃存芯片。出席投產(chǎn)儀式的工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)苗圩表示,這座世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠將對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生重要的引領(lǐng)作用。

  2012年9月12日,三星存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目正式在西安開(kāi)工建設(shè),這也是韓國(guó)三星電子有史以來(lái)最大的海外投資項(xiàng)目。項(xiàng)目建設(shè)歷時(shí)20個(gè)月,正式投入生產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將提供2000多個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì),并拉動(dòng)100多個(gè)相關(guān)配套企業(yè)進(jìn)駐西安,使西安形成一個(gè)過(guò)千億元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。

  即將投產(chǎn)的產(chǎn)品,是由三星在去年成功開(kāi)發(fā)的最新型閃存芯片V-NAND。新型的芯片將目前以平面為主的芯片設(shè)計(jì),旋轉(zhuǎn)90度,用立體堆疊的方式擴(kuò)大存儲(chǔ)容量,是一項(xiàng)完全嶄新的技術(shù)。

  三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部社長(zhǎng)金奇南表示,在同行業(yè)中,V-NAND只有三星電子一家開(kāi)始量產(chǎn)。與此前新一代20納米級(jí)NAND相比,V-NAND讀寫(xiě)速度提高了2倍以上,而其最大的亮點(diǎn)就在于將半導(dǎo)體的使用壽命最大延長(zhǎng)了10倍。與此同時(shí),它還將耗電量減少了50%,大大降低了能耗。在西安生產(chǎn)這款尖端技術(shù)產(chǎn)品,意味著中韓兩國(guó)的高端人才將共同為新一代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而努力,具有劃時(shí)代的偉大意義。

  據(jù)介紹,2014年,中國(guó)將生產(chǎn)全世界32%的智能手機(jī)、24%的電腦和23%的液晶電視。單在半導(dǎo)體市場(chǎng),2014年中國(guó)已占據(jù)全世界半導(dǎo)體市場(chǎng)的48%,明年有望突破世界半導(dǎo)體產(chǎn)品消費(fèi)量50%的目標(biāo)。

來(lái)源:央廣網(wǎng)央廣圖庫(kù)  責(zé)編:劉明霄  日期:2014-05-09
標(biāo)簽:外商投資;項(xiàng)目;西安;投產(chǎn)